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占板面积减少30%,威兆发布9款采用TOLL封装NMOS

发布时间:2022-12-21 17:57:14来源:搜狐
前言

消费电子产品、电子整机等市场体量在近几年增长迅速,产业链对于 MOSFET 的需求也水涨船高。伴随大功率快充技术的普及,电源厂商对 MOS 器件的耐压、内阻等各维度性能也提出了更高的要求;而随着汽车电气化、5G 商用化进程的深入推进,市场对于 MOSFET 的需求也朝着多元化方向发展。

威兆TOLL封装MOS新品问世

TOLL封装适用于中低压 MOS(耐压40V~150V,电流300A max)、超结 SJ-MOS 的封装,package 厚度 2.3mm,占板面积 115m㎡。相比 TO-263-6L,TOLL占板面积缩小30%,高度减小50%,节省了宝贵的 PCB 应用空间,而且热阻更小从而散热效率更高,封装寄生电感更小,有助于降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度。

占板面积减少30%,威兆发布9款采用TOLL封装NMOS-充电头网

威兆半导体近期推出了9款采用 TOLL 封装的 NMOS 产品,BVDSS(漏源击穿电压)有 40V、80V、100V、150V 可选,VGS 耐压达 ±20/25V,ID(漏极电流)涵盖 100A~325A。

占板面积减少30%,威兆发布9款采用TOLL封装NMOS-充电头网

威兆 VSK002N10HS-G 是一款漏源击穿电压 100V 的N沟道 MOS,采用 TOLL 封装,VGS 耐压 ±25V,Vth 为 2.1~3.1V,漏极电流最高 325A,VGS 为 10V时导通电阻 RDS(on) 典型值为 1.7mΩ,适用于 USB PD 电源、电池保护、电机控制等应用场景。

占板面积减少30%,威兆发布9款采用TOLL封装NMOS-充电头网

威兆 VSK009N15HS-G 是一款漏源击穿电压 150V 的N沟道 MOS,采用 TOLL 封装,VGS 耐压 ±25V,Vth 为 2.6~3.6V,漏极电流最高 100A,VGS 为 10V时导通电阻 RDS(on) 典型值为 9.2mΩ,适用于通信电源、电池保护、电机控制等应用场景。

充电头网总结

威兆半导体此次采用的 TOLL 封装,相比 TO-263-6L 封装不仅有着更小的体积和占板面积,而且具备低封装寄生和电感效应,以及出色的 EMI 表现和热性能;TOLL 封装拥有可焊侧翼,可以很好满足高安全性和高可靠性的大功率应用场景。

#威兆
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